Название сайта!

Главная » 2014 » Январь » 24 » Универсальное зарядное устройство для мобильного телефона на микросхеме LNK520P

13:56 Универсальное зарядное устройство для мобильного телефона на микросхеме LNK520P
Микросхема LNK520P компании Power Integrations - это микросхема для построения недорогих и высокоэффективных AC/DC импульсных источников питания. К примеру на ней можно построить зарядно-питающее устройство для сотового телефона. Технические характеристики устройства: Входное напряжение – 85 – 265 В. Выходное напряжение – 5 В. Выходная мощность – 2.5 Вт. Топология – обратноходовая Использование микросхемы LNK520 дало возможность максимально миниатюризировать схему. Кроме этого применение серии микросхем LinkSwitch компании Power Integrations позволило сделать решение в комплексе наиболее дешевым и простым в разработке. Давайте рассмотрим особенности этого решения: - Высокая частота преобразования (42 кГц) позволяет использовать трансформатор с меньшими габаритами, и стоимостью. - В режиме холостого хода при входном напряжении 230 В. Благодаря встроенной системе энергопотребления EcoSmart схема потребляет <300 мВт. - Максимально простая схема – весть источник насчитывает всего 26 компонентов. - Максимальная нестабильность напряжения на выходе - +/- 5%. - Дополнительные встроенные в микросхему функции – защита от короткого замыкания, от разрыва в цепи нагрузки, от перегрева микросхемы. - КПД более 70%. Принципиальная схема зарядного устройства на микросхеме LNK520P: Принципиальная схема зарядного устройства на микросхеме LNK520P: для мобильного телефона на микросхеме LNK520P' title='Универсальное зарядное устройство для мобильного телефона на микросхеме LNK520P' /> Рис. 1 Схема электрическая принципиальная. Теперь более подробно остановимся на элементах схемы: Вставка плавкая RF1 позволяет защитить схему от короткого замыкания. Индуктивности L1 и L2 вместе с конденсаторами С1 и С2 образуют надежный и недорогой фильтр для уменьшения ЭМИ. Фазирование обмоток трансформатора Т1 и диод D7 не позволяют течь току во вторичной обмотке в то время, когда силовой MOSFET транзистор микросхемы U1 находится в открытом состоянии. При этом ток, который течет в первичной обмотке запасает энергию в сердечнике Т1. Когда силовой транзистор в U1 запирается – энергия, запасенная в T1 преобразуется в ток вторичной обмотки, который проходя через D1 заряжает емкость С7, поддерживая напряжение на выходе. Цепочка RDC: С3, D5, R1 и R2 – ограничивает напряжение обратного хода через первичную обмотку в то время, когда силовой транзистор в микросхеме U1 запирается. Обмотка смещения обеспечивает управление микросхемой U1 через специальную ножку C микросхемы U1 (CONTROL pin). В режиме CV ток на выходе контролируется фототранзистором оптопары U2. При запуске микросхемы и в режиме СС, когда оптопара отключена – обратную связь обеспечивает резистор R5. Диод D6 включенный в обмотку смещения выпрямляет ток, делая его пригодным для питания оптопары. Обмотка смещения вместе с дополнительной экранной обмоткой снижают уровень ЭМС. Конденсатор С6 включен на ножку C (Control pin) микросхемы, он запасает энергию и питает микросхему при запуске. Кроме этого он определяет время перезапуска в режиме “рестарт”. Еще конденсатор служит для снятия высокочастотных шумов с ножки С и если нужно обеспечивает – затвор стабильным током управления. Напряжения падающие на VR1, R7 и на светодиоде U2 – определяют выходное напряжение схемы. Резистор R8 обеспечивает ток смещения для VR1. Выходное напряжение может быть настроено более точно путем подбора резисторов R7 и R8. Примечание: Схемы на микросхемах LinkSwitch могут работать только в режиме “с разрывом тока основного дросселя”. Типичное применение такой схемы: зарядные устройства для сотовых телефонов, КПК, портативных аудио устройств, адаптеры для электробритв, различные домашние маломощные источники питания. Графические характеристики источника: Рис.2 Нагрузочная характеристика. Рис.3 Потребляемая мощность в отсутствии нагрузки. Параметры трансформатора. Материал сердечника TDK PC40 EE13, AL=185 nH/T2. Каркас EE13, горизонтальный, 8 pin. Параметры обмоток Первичная: 114 витков, 35 AVG. Обмотка питания оптопары: 39 витков, 34 AVG. Экранная обмотка: 13 витков, 2x31 AVG. Вторичная обмотка: 12 витков, 26 AVG. Порядок намотки (номер пина) Обмотка питания оптопары: (1-2), лента. Первичная обмотка: (4-3), лента. Экранная обмотка (3-не соединена), лента. Вторичная обмотка (7-6), лента. Индуктивность первичной обмотки. 2,40 mH Собственный резонанс более 300 kHz Собранная печатная плата с элементами выглядит так: Как мы можем видеть собранная плата вполне помещается в адаптерном корпусе. В статье использовались материалы компании Power Integrations (www.powerint.com). Перевел и дополнил инженер службы технической поддержки ЗАО Макро-Петербург Бандура Геннадий. (Gennadiy.Bandura (at) macro-peterburg.ru)
1 2 3 4 5 Категория: Питание \| Просмотров: 2227 \| Добавил: Alex \| Рейтинг: 0.0/0