Название сайта!

Главная » 2014 » Январь » 24 » 350 Ваттный усилитель мощности на полевых транзисторах

18:49 350 Ваттный усилитель мощности на полевых транзисторах
Схема High-End УМЗЧ (рис.1) выполнена на полевых транзисторах с гексагональной структурой (HEXFET фирмы International Rectifier). Входные каскады выполнены на дискретных биполярных транзисторах с использованием симметричной дифференциально-каскодной схемотехники (Т1 - Т12) с активными генераторами тока (Т14, Т16, Т18, Т19), благодаря чему практически устранены проявления нелинейности, связанные с зависимостью коэффициента передачи и емкостей p-n-переходов от тока коллектора и напряжения коллектор-база. Высокая эффективность термостабилизации режимов мощных полевых транзисторов достигнута благодаря применению в качестве датчика температуры полевого транзистора Т22, а за «нулем» по постоянному току на выходе следит специальный каскад на ОУ I01. На нагрузке 4 Ома усилитель развивает номинальную мощность 350 Вт при коэффициенте гармоник не более 0,05% в диапазоне частот 20 Гц - 20 кГц, неравномерности АЧХ не более 1 дБ в диапазоне от 2 Гц до 350 кГц, отношении сигнал/шум 110 дБ, коэффициенте демпфирования на частоте 1 кГц не менее 400, скорости нарастания выходного напряжения 400 В/мкс и максимальном импульсном выходном токе 150 A 360 Ваттный усилитель мощности на полевых транзисторах' title='350 Ваттный усилитель мощности на полевых транзисторах'
1 2 3 4 5 Категория: Усилители \| Просмотров: 1700 \| Добавил: Alex \| Рейтинг: 0.0/0